BSB013NE2LXI دیتاشیت

BSB013NE2LXI

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSB013NE2LXI
حجم فایل 70.316 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت BSB013NE2LXI

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSB013NE2LXI
  • Power Dissipation (Pd): 57W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 25V
  • Continuous Drain Current (Id): 163A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.3mΩ@10V,30A
  • Package: MG-WDSON-2
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه